TRS10E65C,S1Q - DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220-2L

Número de pieza del fabricante

TRS10E65C,S1Q

Número interno de parte

AX-TRS10E65C,S1Q

Fabricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descripción

DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220-2L

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

51810 Pieces

Precio de referencia

~~USD 6.498~~

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Especificaciones para TRS10E65C,S1Q

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : TRS10E65C,S1Q

Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage

Descripción : DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220-2L

Serie : -

Estado de la pieza : Active

Tipo de diodo : Silicon Carbide Schottky

Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) : 650V

Corriente - Promedio Rectificado (Io) : 10A (DC)

Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si : 1.7V @ 10A

Velocidad : No Recovery Time > 500mA (Io)

Tiempo de recuperación inverso (trr) : 0ns

Corriente - Fuga inversa @ Vr : 90µA @ 650V

Capacitancia a Vr, F : -

Tipo de montaje : Through Hole

Paquete / Caja : TO-220-2

Paquete del dispositivo del proveedor : TO-220-2L

Temperatura de funcionamiento - Unión : 175°C (Max)

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para TRS10E65C,S1Q

Hojas de datos : TRS10E65C,S1Q.pdf

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TF170311WW40236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 4000PF 32KV R85.
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