TRS10E65C,S1Q Ficha de datos
Especificaciones para TRS10E65C,S1Q
Número de pieza : TRS10E65C,S1Q
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción : DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220-2L
Serie : -
Estado de la pieza : Active
Tipo de diodo : Silicon Carbide Schottky
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) : 650V
Corriente - Promedio Rectificado (Io) : 10A (DC)
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si : 1.7V @ 10A
Velocidad : No Recovery Time > 500mA (Io)
Tiempo de recuperación inverso (trr) : 0ns
Corriente - Fuga inversa @ Vr : 90µA @ 650V
Capacitancia a Vr, F : -
Tipo de montaje : Through Hole
Paquete / Caja : TO-220-2
Paquete del dispositivo del proveedor : TO-220-2L
Temperatura de funcionamiento - Unión : 175°C (Max)
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220-2L
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
51810 Piezas
Precio de referencia
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