DMT3011LDT-7 - MOSFET 2N-CH 30V 8A V-DFN3030-8

Número de pieza del fabricante

DMT3011LDT-7

Número interno de parte

AX-DMT3011LDT-7

Fabricante

Diodes Incorporated

Breve descripción

MOSFET 2N-CH 30V 8A V-DFN3030-8

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

1157780 Pieces

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Especificaciones para DMT3011LDT-7

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : DMT3011LDT-7

Fabricante : Diodes Incorporated

Descripción : MOSFET 2N-CH 30V 8A V-DFN3030-8

Serie : -

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

Característica FET : Standard

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 30V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 8A, 10.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 20 mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 13.2nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 641pF @ 15V

Potencia - max : 1.9W

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 155°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete / Caja : 8-VDFN Exposed Pad

Paquete del dispositivo del proveedor : V-DFN3030-8 (Type K)

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para DMT3011LDT-7

Hojas de datos : DMT3011LDT-7.pdf

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