DMT3011LDT-7 Ficha de datos
Especificaciones para DMT3011LDT-7
Número de pieza : DMT3011LDT-7
Fabricante : Diodes Incorporated
Descripción : MOSFET 2N-CH 30V 8A V-DFN3030-8
Serie : -
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Característica FET : Standard
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 8A, 10.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 20 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 13.2nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 641pF @ 15V
Potencia - max : 1.9W
Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 155°C (TJ)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete / Caja : 8-VDFN Exposed Pad
Paquete del dispositivo del proveedor : V-DFN3030-8 (Type K)
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
AX-DMT3011LDT-7
Fabricante
Breve descripción
MOSFET 2N-CH 30V 8A V-DFN3030-8
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
1157780 Piezas
Precio de referencia
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