IPP023NE7N3G - MOSFET N-CH 75V 120A TO220

Número de pieza del fabricante

IPP023NE7N3G

Número interno de parte

AX-IPP023NE7N3G

Fabricante

Infineon Technologies

Breve descripción

MOSFET N-CH 75V 120A TO220

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

22470 Pieces

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Especificaciones para IPP023NE7N3G

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : IPP023NE7N3G

Fabricante : Infineon Technologies

Descripción : MOSFET N-CH 75V 120A TO220

Serie : OptiMOS™ 3

Estado de la pieza : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 75V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 120A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.3 mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.8V @ 273µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 206nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 14400pF @ 37.5V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 300W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje : Through Hole

Paquete del dispositivo del proveedor : PG-TO220-3

Paquete / Caja : TO-220-3

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : IPP0 , IPP023

Documentos para IPP023NE7N3G

Hojas de datos : IPP023NE7N3G.pdf

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