IPP023NE7N3G Ficha de datos
Especificaciones para IPP023NE7N3G
Número de pieza :
IPP023NE7N3G
Fabricante :
Infineon Technologies
Descripción :
MOSFET N-CH 75V 120A TO220
Serie :
OptiMOS™ 3
Estado de la pieza :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnología :
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) :
75V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C :
120A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.3 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.8V @ 273µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs :
206nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds :
14400pF @ 37.5V
Característica FET :
-
Disipación de potencia (max) :
300W (Tc)
Temperatura de funcionamiento :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje :
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor :
PG-TO220-3
Paquete / Caja :
TO-220-3
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
AX-IPP023NE7N3G
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CH 75V 120A TO220
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
22470 Piezas
Precio de referencia
Nuestro precio
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