PMV185XN,215 - MOSFET N-CH 30V 1.1A TO-236AB
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
AX-PMV185XN,215
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CH 30V 1.1A TO-236AB
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
19784 Pieces
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Especificaciones para PMV185XN,215
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza :
PMV185XN,215
Fabricante :
NXP USA Inc.
Descripción :
MOSFET N-CH 30V 1.1A TO-236AB
Serie :
-
Estado de la pieza :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnología :
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) :
30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C :
1.1A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
250 mOhm @ 1.1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs :
1.3nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds :
76pF @ 15V
Característica FET :
-
Disipación de potencia (max) :
325mW (Ta), 1.275W (Tc)
Temperatura de funcionamiento :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje :
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor :
TO-236AB (SOT23)
Paquete / Caja :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Documentos para PMV185XN,215
Hojas de datos :
PMV185XN,215.pdf
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