PMV185XN,215 - MOSFET N-CH 30V 1.1A TO-236AB

Número de pieza del fabricante

PMV185XN,215

Número interno de parte

AX-PMV185XN,215

Fabricante

NXP USA Inc.

Breve descripción

MOSFET N-CH 30V 1.1A TO-236AB

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

19784 Pieces

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Especificaciones para PMV185XN,215

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : PMV185XN,215

Fabricante : NXP USA Inc.

Descripción : MOSFET N-CH 30V 1.1A TO-236AB

Serie : -

Estado de la pieza : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 30V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 1.1A (Ta)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 250 mOhm @ 1.1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 1.3nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±12V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 76pF @ 15V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 325mW (Ta), 1.275W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : TO-236AB (SOT23)

Paquete / Caja : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : PMV1 , PMV185

Documentos para PMV185XN,215

Hojas de datos : PMV185XN,215.pdf

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