PMV185XN,215 Ficha de datos
Especificaciones para PMV185XN,215
Número de pieza : PMV185XN,215
Fabricante : NXP USA Inc.
Descripción : MOSFET N-CH 30V 1.1A TO-236AB
Serie : -
Estado de la pieza : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 1.1A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 250 mOhm @ 1.1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 1.3nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 76pF @ 15V
Característica FET : -
Disipación de potencia (max) : 325mW (Ta), 1.275W (Tc)
Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor : TO-236AB (SOT23)
Paquete / Caja : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
AX-PMV185XN,215
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CH 30V 1.1A TO-236AB
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
19784 Piezas
Precio de referencia
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