SI2311DS-T1-GE3 - MOSFET P-CH 8V 3A SOT23

Número de pieza del fabricante

SI2311DS-T1-GE3

Número interno de parte

AX-SI2311DS-T1-GE3

Fabricante

Vishay Siliconix

Breve descripción

MOSFET P-CH 8V 3A SOT23

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

11240 Pieces

Precio de referencia

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Especificaciones para SI2311DS-T1-GE3

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : SI2311DS-T1-GE3

Fabricante : Vishay Siliconix

Descripción : MOSFET P-CH 8V 3A SOT23

Serie : TrenchFET®

Estado de la pieza : Obsolete

Tipo FET : P-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 8V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 3A (Ta)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 45 mOhm @ 3.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 800mV @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 12nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±8V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 970pF @ 4V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 710mW (Ta)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : SOT-23-3

Paquete / Caja : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para SI2311DS-T1-GE3

Hojas de datos : SI2311DS-T1-GE3.pdf

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