SI2311DS-T1-GE3 Ficha de datos
Especificaciones para SI2311DS-T1-GE3
Número de pieza :
SI2311DS-T1-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descripción :
MOSFET P-CH 8V 3A SOT23
Serie :
TrenchFET®
Estado de la pieza :
Obsolete
Tipo FET :
P-Channel
Tecnología :
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) :
8V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C :
3A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
45 mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
800mV @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs :
12nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds :
970pF @ 4V
Característica FET :
-
Disipación de potencia (max) :
710mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje :
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor :
SOT-23-3
Paquete / Caja :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
MOSFET P-CH 8V 3A SOT23
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
11240 Piezas
Precio de referencia
Nuestro precio
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