SCT2H12NYTB - 1700V 1.2 OHM 4A SIC FET

Número de pieza del fabricante

SCT2H12NYTB

Número interno de parte

AX-SCT2H12NYTB

Fabricante

Rohm Semiconductor

Breve descripción

1700V 1.2 OHM 4A SIC FET

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

127010 Pieces

Precio de referencia

~~USD 2.2089~~

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Especificaciones para SCT2H12NYTB

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : SCT2H12NYTB

Fabricante : Rohm Semiconductor

Descripción : 1700V 1.2 OHM 4A SIC FET

Serie : -

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : SiCFET (Silicon Carbide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 1700V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 4A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 18V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.5 Ohm @ 1.1A, 18V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 410µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 14nC @ 18V

Vgs (Max) : +22V, -6V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 184pF @ 800V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 44W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : 175°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : TO-268

Paquete / Caja : TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : SCT , SCT2H

Documentos para SCT2H12NYTB

Hojas de datos : SCT2H12NYTB.pdf

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