SCT2H12NYTB Ficha de datos
Especificaciones para SCT2H12NYTB
Número de pieza : SCT2H12NYTB
Fabricante : Rohm Semiconductor
Descripción : 1700V 1.2 OHM 4A SIC FET
Serie : -
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnología : SiCFET (Silicon Carbide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 1700V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 4A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.5 Ohm @ 1.1A, 18V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 410µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 14nC @ 18V
Vgs (Max) : +22V, -6V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 184pF @ 800V
Característica FET : -
Disipación de potencia (max) : 44W (Tc)
Temperatura de funcionamiento : 175°C (TJ)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor : TO-268
Paquete / Caja : TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
AX-SCT2H12NYTB
Fabricante
Breve descripción
1700V 1.2 OHM 4A SIC FET
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
127010 Piezas
Precio de referencia
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