BSZ22DN20NS3GATMA1 - MOSFET N-CH 200V 7A 8TSDSON

Número de pieza del fabricante

BSZ22DN20NS3GATMA1

Número interno de parte

AX-BSZ22DN20NS3GATMA1

Fabricante

Infineon Technologies

Breve descripción

MOSFET N-CH 200V 7A 8TSDSON

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

1119130 Pieces

Precio de referencia

~~USD 0.250698~~

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Especificaciones para BSZ22DN20NS3GATMA1

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : BSZ22DN20NS3GATMA1

Fabricante : Infineon Technologies

Descripción : MOSFET N-CH 200V 7A 8TSDSON

Serie : OptiMOS™

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 200V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 7A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 225 mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 13µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 5.6nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 430pF @ 100V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 34W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : PG-TSDSON-8

Paquete / Caja : 8-PowerTDFN

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : BSZ22D , BSZ22DN20

Documentos para BSZ22DN20NS3GATMA1

Hojas de datos : BSZ22DN20NS3GATMA1.pdf

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