BSZ22DN20NS3GATMA1 Ficha de datos
Especificaciones para BSZ22DN20NS3GATMA1
Número de pieza : BSZ22DN20NS3GATMA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descripción : MOSFET N-CH 200V 7A 8TSDSON
Serie : OptiMOS™
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 200V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 7A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 225 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 13µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 5.6nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 430pF @ 100V
Característica FET : -
Disipación de potencia (max) : 34W (Tc)
Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor : PG-TSDSON-8
Paquete / Caja : 8-PowerTDFN
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CH 200V 7A 8TSDSON
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
1119130 Piezas
Precio de referencia
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