CSD16327Q3T - CSD16327Q3T
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
AX-CSD16327Q3T
Fabricante
Breve descripción
CSD16327Q3T
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
594220 Pieces
Precio de referencia
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Especificaciones para CSD16327Q3T
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza :
CSD16327Q3T
Fabricante :
Texas Instruments
Descripción :
CSD16327Q3T
Serie :
NexFET™
Estado de la pieza :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnología :
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) :
25V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C :
60A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) :
3V, 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4 mOhm @ 24A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs :
8.4nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
+10V, -8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds :
1300pF @ 12.5V
Característica FET :
-
Disipación de potencia (max) :
74W (Tc)
Temperatura de funcionamiento :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje :
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor :
8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Paquete / Caja :
8-PowerTDFN
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Documentos para CSD16327Q3T
Hojas de datos :
CSD16327Q3T.pdf
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