CSD16327Q3T Ficha de datos
Especificaciones para CSD16327Q3T
Número de pieza : CSD16327Q3T
Fabricante : Texas Instruments
Descripción : CSD16327Q3T
Serie : NexFET™
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 25V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 60A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 3V, 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4 mOhm @ 24A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 8.4nC @ 4.5V
Vgs (Max) : +10V, -8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 1300pF @ 12.5V
Característica FET : -
Disipación de potencia (max) : 74W (Tc)
Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor : 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Paquete / Caja : 8-PowerTDFN
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
AX-CSD16327Q3T
Fabricante
Breve descripción
CSD16327Q3T
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
594220 Piezas
Precio de referencia
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