TC58NYG2S0HBAI6 - IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA

Número de pieza del fabricante

TC58NYG2S0HBAI6

Número interno de parte

AX-TC58NYG2S0HBAI6

Fabricante

Toshiba Memory America, Inc.

Breve descripción

IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

101345 Pieces

Precio de referencia

~~USD 3.078~~

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Especificaciones para TC58NYG2S0HBAI6

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : TC58NYG2S0HBAI6

Fabricante : Toshiba Memory America, Inc.

Descripción : IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA

Serie : -

Estado de la pieza : Active

Tipo de memoria : Non-Volatile

Formato de memoria : FLASH

Tecnología : FLASH - NAND (SLC)

Tamaño de la memoria : 4Gb (512M x 8)

Frecuencia de reloj : -

Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página : 25ns

Tiempo de acceso : 25ns

interfaz de memoria : Parallel

Suministro de voltaje : 1.7V ~ 1.95V

Temperatura de funcionamiento : -40°C ~ 85°C (TA)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete / Caja : 67-VFBGA

Paquete del dispositivo del proveedor : 67-VFBGA (6.5x8)

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : TC58N , TC58NYG

Documentos para TC58NYG2S0HBAI6

Hojas de datos : TC58NYG2S0HBAI6.pdf

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CDR33BP302AJWSAB	Vishay Vitramon	CAP CER 3000PF 50V BP 1210.
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WI140376WP10336BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 10000PF 20KV SCREW.
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WF135218WL40238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 4000PF 16KV SCREW.
PEF220WH10336BK1	Vishay Beyschlag	CAP CER 10000PF 13KV R230 DISK.
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BZ120055WC16136CB1	Vishay Beyschlag	CAP CER 160PF 9KV AXIAL.
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