TC58NYG2S0HBAI6 Ficha de datos
Especificaciones para TC58NYG2S0HBAI6
Número de pieza : TC58NYG2S0HBAI6
Fabricante : Toshiba Memory America, Inc.
Descripción : IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA
Serie : -
Estado de la pieza : Active
Tipo de memoria : Non-Volatile
Formato de memoria : FLASH
Tecnología : FLASH - NAND (SLC)
Tamaño de la memoria : 4Gb (512M x 8)
Frecuencia de reloj : -
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página : 25ns
Tiempo de acceso : 25ns
interfaz de memoria : Parallel
Suministro de voltaje : 1.7V ~ 1.95V
Temperatura de funcionamiento : -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete / Caja : 67-VFBGA
Paquete del dispositivo del proveedor : 67-VFBGA (6.5x8)
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
101345 Piezas
Precio de referencia
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