R8010ANX - MOSFET N-CH 800V 10A TO220

Número de pieza del fabricante

R8010ANX

Número interno de parte

AX-R8010ANX

Fabricante

Rohm Semiconductor

Breve descripción

MOSFET N-CH 800V 10A TO220

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

146575 Pieces

Precio de referencia

~~USD 1.914~~

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Especificaciones para R8010ANX

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : R8010ANX

Fabricante : Rohm Semiconductor

Descripción : MOSFET N-CH 800V 10A TO220

Serie : -

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 800V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 10A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 560 mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 1mA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 62nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 1750pF @ 25V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 40W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Through Hole

Paquete del dispositivo del proveedor : TO-220FM

Paquete / Caja : TO-220-3 Full Pack

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para R8010ANX

Hojas de datos : R8010ANX.pdf

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