SIB412DK-T1-E3 - MOSFET N-CH 20V 9A SC75-6

Número de pieza del fabricante

SIB412DK-T1-E3

Número interno de parte

AX-SIB412DK-T1-E3

Fabricante

Vishay Siliconix

Breve descripción

MOSFET N-CH 20V 9A SC75-6

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

4656 Pieces

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Especificaciones para SIB412DK-T1-E3

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : SIB412DK-T1-E3

Fabricante : Vishay Siliconix

Descripción : MOSFET N-CH 20V 9A SC75-6

Serie : TrenchFET®

Estado de la pieza : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 20V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 9A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 34 mOhm @ 6.6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 10.16nC @ 5V

Vgs (Max) : ±8V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 535pF @ 10V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 2.4W (Ta), 13W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : PowerPAK® SC-75-6L Single

Paquete / Caja : PowerPAK® SC-75-6L

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para SIB412DK-T1-E3

Hojas de datos : SIB412DK-T1-E3.pdf

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