CTLDM8002A-M621H TR - MOSFET N-CH 50V DFN6

Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Breve descripción
MOSFET N-CH 50V DFN6
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
23772 Pieces
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Especificaciones para CTLDM8002A-M621H TR

Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : CTLDM8002A-M621H TR
Fabricante : Central Semiconductor Corp
Descripción : MOSFET N-CH 50V DFN6
Serie : -
Estado de la pieza : Obsolete
Tipo FET : P-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 50V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 280mA (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.5 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 0.72nC @ 4.5V
Vgs (Max) : 20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 70pF @ 25V
Característica FET : -
Disipación de potencia (max) : 1.6W (Ta)
Temperatura de funcionamiento : -65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor : TLM621H
Paquete / Caja : 6-XFDFN Exposed Pad
Peso : -
Condición : Nuevo y original
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Hojas de datos : CTLDM8002A-M621H TR.pdf

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