SIZF300DT-T1-GE3 - MOSFET DUAL N-CHAN 30V PPAIR 3X3

Número de pieza del fabricante

SIZF300DT-T1-GE3

Número interno de parte

AX-SIZF300DT-T1-GE3

Fabricante

Vishay Siliconix

Breve descripción

MOSFET DUAL N-CHAN 30V PPAIR 3X3

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

831890 Pieces

Precio de referencia

~~USD 0.33726~~

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Especificaciones para SIZF300DT-T1-GE3

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : SIZF300DT-T1-GE3

Fabricante : Vishay Siliconix

Descripción : MOSFET DUAL N-CHAN 30V PPAIR 3X3

Serie : TrenchFET® Gen IV

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)

Característica FET : Standard

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 30V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 23A (Ta), 75A (Tc), 34A (Ta), 141A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.5 mOhm @ 10A, 10V, 1.84 mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 22nC @ 10V, 62nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 1100pF @ 15V, 3150pF @ 15V

Potencia - max : 3.8W (Ta), 48W (Tc), 4.3W (Ta), 74W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete / Caja : 8-PowerWDFN

Paquete del dispositivo del proveedor : 8-PowerPair® (6x5)

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : SIZF3 , SIZF300D

Documentos para SIZF300DT-T1-GE3

Hojas de datos : SIZF300DT-T1-GE3.pdf

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