BSC152N10NSFGATMA1 - MOSFET N-CH 100V 63A TDSON-8

Número de pieza del fabricante

BSC152N10NSFGATMA1

Número interno de parte

AX-BSC152N10NSFGATMA1

Fabricante

Infineon Technologies

Breve descripción

MOSFET N-CH 100V 63A TDSON-8

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

8088 Pieces

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Especificaciones para BSC152N10NSFGATMA1

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : BSC152N10NSFGATMA1

Fabricante : Infineon Technologies

Descripción : MOSFET N-CH 100V 63A TDSON-8

Serie : OptiMOS™

Estado de la pieza : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 100V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 9.4A (Ta), 63A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 15.2 mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 72µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 29nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 1900pF @ 50V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 114W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : PG-TDSON-8

Paquete / Caja : 8-PowerTDFN

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : BSC152 , BSC152N10

Documentos para BSC152N10NSFGATMA1

Hojas de datos : BSC152N10NSFGATMA1.pdf

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