CSD25202W15T - MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
AX-CSD25202W15T
Fabricante
Breve descripción
MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
1445905 Pieces
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Especificaciones para CSD25202W15T
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : CSD25202W15T
Fabricante : Texas Instruments
Descripción : MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA
Serie : NexFET™
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 4A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 26 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.05V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 7.5nC @ 4.5V
Vgs (Max) : -6V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 1010pF @ 10V
Característica FET : -
Disipación de potencia (max) : 500mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor : 9-DSBGA
Paquete / Caja : 9-UFBGA, DSBGA
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Documentos para CSD25202W15T
Hojas de datos : CSD25202W15T.pdf
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