IRFB3307PBF - MOSFET N-CH 75V 130A TO-220AB
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
AX-IRFB3307PBF
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CH 75V 130A TO-220AB
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
182650 Pieces
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Especificaciones para IRFB3307PBF
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : IRFB3307PBF
Fabricante : Infineon Technologies
Descripción : MOSFET N-CH 75V 130A TO-220AB
Serie : HEXFET®
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 75V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 130A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.3 mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 150µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 180nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 5150pF @ 50V
Característica FET : -
Disipación de potencia (max) : 200W (Tc)
Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje : Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor : TO-220AB
Paquete / Caja : TO-220-3
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Documentos para IRFB3307PBF
Hojas de datos : IRFB3307PBF.pdf
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