IPC302N20N3X1SA1 - MOSFET N-CH 200V 1A SAWN ON FOIL

Número de pieza del fabricante

IPC302N20N3X1SA1

Número interno de parte

AX-IPC302N20N3X1SA1

Fabricante

Infineon Technologies

Breve descripción

MOSFET N-CH 200V 1A SAWN ON FOIL

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

128935 Pieces

Precio de referencia

~~USD 2.175888~~

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Especificaciones para IPC302N20N3X1SA1

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : IPC302N20N3X1SA1

Fabricante : Infineon Technologies

Descripción : MOSFET N-CH 200V 1A SAWN ON FOIL

Serie : OptiMOS™

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 200V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 1A (Tj)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 100 mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 260µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : -

Vgs (Max) : -

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : -

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : -

Temperatura de funcionamiento : -

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : Sawn on foil

Paquete / Caja : Die

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : IPC30 , IPC302N2

Documentos para IPC302N20N3X1SA1

Hojas de datos : IPC302N20N3X1SA1.pdf

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