K4B2G1646F-BYMA - 2 Gb 128M x 16 1866 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production
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Breve descripción
2 Gb 128M x 16 1866 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
124530 Pieces
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Especificaciones para K4B2G1646F-BYMA
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : K4B2G1646F-BYMA
Fabricante : Samsung Semiconductor
Descripción : 2 Gb 128M x 16 1866 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production
Serie : DDR3
Densidad : 2 Gb
Org. : 128M x 16
Velocidad : 1866 Mbps
voltaje : 1.35 V
Temperatura. : 0 ~ 85 °C
Paquete : 96FBGA
Estado del producto : Mass Production
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Documentos para K4B2G1646F-BYMA
Hojas de datos : K4B2G1646F-BYMA.pdf
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