EDB4432BBPE-1D-F-D - IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ

Número de pieza del fabricante

EDB4432BBPE-1D-F-D

Número interno de parte

AX-EDB4432BBPE-1D-F-D

Fabricante

Micron Technology Inc.

Breve descripción

IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

12024 Pieces

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Especificaciones para EDB4432BBPE-1D-F-D

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : EDB4432BBPE-1D-F-D

Fabricante : Micron Technology Inc.

Descripción : IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ

Serie : -

Estado de la pieza : Active

Tipo de memoria : Volatile

Formato de memoria : DRAM

Tecnología : SDRAM - Mobile LPDDR2

Tamaño de la memoria : 4Gb (128M x 32)

Frecuencia de reloj : 533MHz

Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página : -

Tiempo de acceso : -

interfaz de memoria : Parallel

Suministro de voltaje : 1.14V ~ 1.95V

Temperatura de funcionamiento : -30°C ~ 85°C (TC)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete / Caja : -

Paquete del dispositivo del proveedor : -

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : EDB443 , EDB4432BB

Documentos para EDB4432BBPE-1D-F-D

Hojas de datos : EDB4432BBPE-1D-F-D.pdf

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WF095220WF50236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 12KV SCREW.
WI140266WQ75236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW.
WF095187WJ10238BH1	Vishay Beyschlag	CAP CER 1000PF 14KV SCREW.
WF165380WQ75238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW.
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