K4F8E3S4HB-MHCJ - 8 Gb x32 3733 Mbps 1.8 / 1.1 / 1.1 V -40 ~ 105 °C 200FBGA Mass Production

Número de pieza del fabricante

K4F8E3S4HB-MHCJ

Número interno de parte

AX-K4F8E3S4HB-MHCJ

Fabricante

Samsung Semiconductor

Breve descripción

8 Gb x32 3733 Mbps 1.8 / 1.1 / 1.1 V -40 ~ 105 °C 200FBGA Mass Production

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

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Especificaciones para K4F8E3S4HB-MHCJ

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : K4F8E3S4HB-MHCJ

Fabricante : Samsung Semiconductor

Descripción : 8 Gb x32 3733 Mbps 1.8 / 1.1 / 1.1 V -40 ~ 105 °C 200FBGA Mass Production

Serie : DDR3

Densidad : 8 Gb

Org. : x32

Velocidad : 3733 Mbps

voltaje : 1.8 / 1.1 / 1.1 V

Temperatura. : -40 ~ 105 °C

Paquete : 200FBGA

Estado del producto : Mass Production

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : K4F8E , K4F8E3S

Documentos para K4F8E3S4HB-MHCJ

Hojas de datos : K4F8E3S4HB-MHCJ.pdf

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WF110250WJ50236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 14KV SCREW.
BZ118100WV10136CB1	Vishay Beyschlag	CAP CER 100PF 30KV AXIAL.
WF165335WL10338BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 10000PF 16KV SCREW.