IPA60R360P7XKSA1 - MOSFET N-CHANNEL 650V 9A TO220

Número de pieza del fabricante

IPA60R360P7XKSA1

Número interno de parte

AX-IPA60R360P7XKSA1

Fabricante

Infineon Technologies

Breve descripción

MOSFET N-CHANNEL 650V 9A TO220

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

248725 Pieces

Precio de referencia

~~USD 1.128~~

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Especificaciones para IPA60R360P7XKSA1

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : IPA60R360P7XKSA1

Fabricante : Infineon Technologies

Descripción : MOSFET N-CHANNEL 650V 9A TO220

Serie : CoolMOS™ P7

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 650V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 9A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 360 mOhm @ 2.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 140µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 13nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 555pF @ 400V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 22W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Through Hole

Paquete del dispositivo del proveedor : PG-TO220 Full Pack

Paquete / Caja : TO-220-3 Full Pack

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para IPA60R360P7XKSA1

Hojas de datos : IPA60R360P7XKSA1.pdf

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