FDD10N20LZTM - MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK-3

Número de pieza del fabricante

FDD10N20LZTM

Número interno de parte

AX-FDD10N20LZTM

Fabricante

ON Semiconductor

Breve descripción

MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK-3

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

1286360 Pieces

Precio de referencia

~~USD 0.218106~~

Nuestro precio

- (Póngase en contacto con nosotros para obtener un mejor precio: [email protected])

AX Semiconductor tiene FDD10N20LZTM en stock para vender. Podemos enviarle dentro de 1-2 días. Póngase en contacto con nosotros para obtener un mejor precio para FDD10N20LZTM. Nuestro correo electrónico: [email protected]

Opciones de envío y tiempo de envío:: DHL: 2-3 days.; FEDEX: 2-3 days.; UPS: 2-4 days.; TNT: 3-5 days.; EMS: 5-8 days.; Normal Post: 10-15 days.

Opciones de pago:: Paypal (Credit Card); Bank Transfer (Wire Transfer); Western Union; MoneyGram

Especificaciones para FDD10N20LZTM

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : FDD10N20LZTM

Fabricante : ON Semiconductor

Descripción : MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK-3

Serie : UniFET™

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 200V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 7.6A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 360 mOhm @ 3.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 16nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 585pF @ 25V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 83W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : DPAK

Paquete / Caja : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : FDD1 , FDD10N

Documentos para FDD10N20LZTM

Hojas de datos : FDD10N20LZTM.pdf

Productos relacionados para FDD10N20LZTM ON Semiconductor

Número de pieza	Marca	Descripción
GRM0225C1E5R6DDAEL	Murata Electronics North America	CAP CER 5.6PF 25V C0G/NP0 01005.
WF135285WP50233BJ2	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 20KV SCREW.
SR152A2R2CAA	AVX Corporation	CAP CER 2.2PF 200V C0G/NP0 RAD.
WF165420WN10338BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 10000PF 18KV SCREW.
BZ080110WV25036CB1	Vishay Beyschlag	CAP CER 25PF 30KV.
WF165336WQ75236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW.
CDR35BP103BKUSAR	Vishay Vitramon	CAP CER 10000PF 100V BP 1825.
CDR02BP221BKMSAB	Vishay Vitramon	CAP CER 220PF 100V BP 1805.
TF170311WW40236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 4000PF 32KV R85.
WF165270WJ75238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 7500PF 14KV SCREW.
BZ114096WZ10238BK1	Vishay Beyschlag	CAP CER 1000PF 40KV AXIAL.
PEF220WP60236BK1	Vishay Beyschlag	CAP CER 6000PF 20KV R230 DISK.
WZ135285WP50236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 20KV.
WI140316WQ75236BJ4	Vishay Beyschlag	CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW.
PZ0140WL10136CB1	Vishay Beyschlag	CAP CER 100PF 16KV DISK.
WF165278WP60238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 6000PF 20KV SCREW.
WI140376WP10336BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 10000PF 20KV SCREW.
WF135218WL40238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 4000PF 16KV SCREW.
WX110250WJ50238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 14KV SCREW.
WF165380WQ75238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW.