IXTH1N170DHV - MOSFET N-CH

Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CH
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
59694 Pieces
Precio de referencia
USD 5.6388
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Especificaciones para IXTH1N170DHV

Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : IXTH1N170DHV
Fabricante : IXYS
Descripción : MOSFET N-CH
Serie : -
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 1700V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 1A (Tj)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 0V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 16 Ohm @ 500mA, 0V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 47nC @ 5V
Vgs (Max) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 3090pF @ 25V
Característica FET : Depletion Mode
Disipación de potencia (max) : 290W (Tc)
Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor : TO-247HV
Paquete / Caja : TO-247-3 Variant
Peso : -
Condición : Nuevo y original
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Hojas de datos : IXTH1N170DHV.pdf

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