BSP89H6327XTSA1 - MOSFET N-CH 4SOT223

Número de pieza del fabricante

BSP89H6327XTSA1

Número interno de parte

AX-BSP89H6327XTSA1

Fabricante

Infineon Technologies

Breve descripción

MOSFET N-CH 4SOT223

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

1790150 Pieces

Precio de referencia

~~USD 0.156726~~

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Especificaciones para BSP89H6327XTSA1

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : BSP89H6327XTSA1

Fabricante : Infineon Technologies

Descripción : MOSFET N-CH 4SOT223

Serie : SIPMOS®

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 240V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 350mA (Ta)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6 Ohm @ 350mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.8V @ 108µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 6.4nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 140pF @ 25V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 1.8W (Ta)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : PG-SOT223-4

Paquete / Caja : TO-261-4, TO-261AA

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para BSP89H6327XTSA1

Hojas de datos : BSP89H6327XTSA1.pdf

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