SSM6N15AFE,LM - MOSFET 2N-CH 30V 0.1A ES6
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
MOSFET 2N-CH 30V 0.1A ES6
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
7084955 Pieces
Precio de referencia
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Especificaciones para SSM6N15AFE,LM
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza :
SSM6N15AFE,LM
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción :
MOSFET 2N-CH 30V 0.1A ES6
Serie :
-
Estado de la pieza :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Característica FET :
Logic Level Gate
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) :
30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C :
100mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4 Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 100µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds :
7.8pF @ 3V
Potencia - max :
150mW
Temperatura de funcionamiento :
150°C (TJ)
Tipo de montaje :
Surface Mount
Paquete / Caja :
SOT-563, SOT-666
Paquete del dispositivo del proveedor :
ES6 (1.6x1.6)
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Documentos para SSM6N15AFE,LM
Hojas de datos :
SSM6N15AFE,LM.pdf
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