SQJB40EP-T1_GE3 - MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8
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Fabricante
Breve descripción
MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
822390 Pieces
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Especificaciones para SQJB40EP-T1_GE3
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : SQJB40EP-T1_GE3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descripción : MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8
Serie : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
Característica FET : Standard
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 40V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 35nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 1900pF @ 25V
Potencia - max : 34W
Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete / Caja : PowerPAK® SO-8 Dual
Paquete del dispositivo del proveedor : PowerPAK® SO-8 Dual
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Documentos para SQJB40EP-T1_GE3
Hojas de datos : SQJB40EP-T1_GE3.pdf
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