HTNFET-D - MOSFET N-CH 55V 8-DIP

Número de pieza del fabricante

HTNFET-D

Número interno de parte

AX-HTNFET-D

Fabricante

Honeywell Aerospace

Breve descripción

MOSFET N-CH 55V 8-DIP

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

9150 Pieces

Precio de referencia

~~USD 243.6~~

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Especificaciones para HTNFET-D

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : HTNFET-D

Fabricante : Honeywell Aerospace

Descripción : MOSFET N-CH 55V 8-DIP

Serie : HTMOS™

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 55V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : -

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 400 mOhm @ 100mA, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.4V @ 100µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 4.3nC @ 5V

Vgs (Max) : 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 290pF @ 28V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 50W (Tj)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 225°C (TJ)

Tipo de montaje : Through Hole

Paquete del dispositivo del proveedor : 8-CDIP-EP

Paquete / Caja : 8-CDIP Exposed Pad

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : HT , HTNF

Documentos para HTNFET-D

Hojas de datos : HTNFET-D.pdf

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Número de pieza	Marca	Descripción
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