RQ3E100MNTB1 - MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
AX-RQ3E100MNTB1
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
1113340 Pieces
Precio de referencia
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Especificaciones para RQ3E100MNTB1
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza :
RQ3E100MNTB1
Fabricante :
Rohm Semiconductor
Descripción :
MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8
Serie :
-
Estado de la pieza :
Not For New Designs
Tipo FET :
N-Channel
Tecnología :
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) :
30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C :
10A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
12.3 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs :
9.9nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds :
520pF @ 15V
Característica FET :
-
Disipación de potencia (max) :
2W (Ta)
Temperatura de funcionamiento :
150°C (TJ)
Tipo de montaje :
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor :
8-HSMT (3.2x3)
Paquete / Caja :
8-PowerVDFN
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Documentos para RQ3E100MNTB1
Hojas de datos :
RQ3E100MNTB1.pdf
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