RQ3E100MNTB1 - MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
AX-RQ3E100MNTB1
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
1113340 Pieces
Precio de referencia
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Especificaciones para RQ3E100MNTB1
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : RQ3E100MNTB1
Fabricante : Rohm Semiconductor
Descripción : MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8
Serie : -
Estado de la pieza : Not For New Designs
Tipo FET : N-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 10A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12.3 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 9.9nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 520pF @ 15V
Característica FET : -
Disipación de potencia (max) : 2W (Ta)
Temperatura de funcionamiento : 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor : 8-HSMT (3.2x3)
Paquete / Caja : 8-PowerVDFN
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Documentos para RQ3E100MNTB1
Hojas de datos : RQ3E100MNTB1.pdf
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