BYM12-100HE3_A/I - DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
3885385 Pieces
Precio de referencia
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Especificaciones para BYM12-100HE3_A/I
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : BYM12-100HE3_A/I
Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descripción : DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB
Serie : Automotive, AEC-Q101, Superectifier®
Estado de la pieza : Active
Tipo de diodo : Standard
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) : 100V
Corriente - Promedio Rectificado (Io) : 1A
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si : 1V @ 1A
Velocidad : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tiempo de recuperación inverso (trr) : 50ns
Corriente - Fuga inversa @ Vr : 5µA @ 100V
Capacitancia a Vr, F : 20pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete / Caja : DO-213AB, MELF (Glass)
Paquete del dispositivo del proveedor : DO-213AB
Temperatura de funcionamiento - Unión : -65°C ~ 175°C
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Documentos para BYM12-100HE3_A/I
Hojas de datos : BYM12-100HE3_A/I.pdf
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