BUZ73ALHXKSA1 - MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3

Número de pieza del fabricante

BUZ73ALHXKSA1

Número interno de parte

AX-BUZ73ALHXKSA1

Fabricante

Infineon Technologies

Breve descripción

MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

13000 Pieces

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Especificaciones para BUZ73ALHXKSA1

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : BUZ73ALHXKSA1

Fabricante : Infineon Technologies

Descripción : MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3

Serie : SIPMOS®

Estado de la pieza : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 200V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 5.5A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 600 mOhm @ 3.5A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 1mA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : -

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 840pF @ 25V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 40W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Through Hole

Paquete del dispositivo del proveedor : PG-TO220-3

Paquete / Caja : TO-220-3

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : BUZ7 , BUZ73A

Documentos para BUZ73ALHXKSA1

Hojas de datos : BUZ73ALHXKSA1.pdf

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