TK6A80E,S4X - MOSFET N-CH 800V TO220SIS
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
AX-TK6A80E,S4X
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CH 800V TO220SIS
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
247405 Pieces
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Especificaciones para TK6A80E,S4X
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : TK6A80E,S4X
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción : MOSFET N-CH 800V TO220SIS
Serie : π-MOSVIII
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 800V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 6A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.7 Ohm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 600µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 32nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 1350pF @ 25V
Característica FET : -
Disipación de potencia (max) : 45W (Tc)
Temperatura de funcionamiento : 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor : TO-220SIS
Paquete / Caja : TO-220-3 Full Pack
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Documentos para TK6A80E,S4X
Hojas de datos : TK6A80E,S4X.pdf
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