SISH106DN-T1-GE3 - MOSFET N-CHAN PPAK 1212-8SH
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Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CHAN PPAK 1212-8SH
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
574840 Pieces
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Especificaciones para SISH106DN-T1-GE3
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : SISH106DN-T1-GE3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descripción : MOSFET N-CHAN PPAK 1212-8SH
Serie : TrenchFET®
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 12.5A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.2 mOhm @ 19.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 27nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : -
Característica FET : -
Disipación de potencia (max) : 1.5W (Ta)
Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor : PowerPAK® 1212-8SH
Paquete / Caja : PowerPAK® 1212-8SH
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Documentos para SISH106DN-T1-GE3
Hojas de datos : SISH106DN-T1-GE3.pdf
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