PMZB600UNEYL - MOSFET N-CH 20V 3QFN

Número de pieza del fabricante

PMZB600UNEYL

Número interno de parte

AX-PMZB600UNEYL

Fabricante

Nexperia USA Inc.

Breve descripción

MOSFET N-CH 20V 3QFN

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

6842360 Pieces

Precio de referencia

~~USD 0.041004~~

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Especificaciones para PMZB600UNEYL

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : PMZB600UNEYL

Fabricante : Nexperia USA Inc.

Descripción : MOSFET N-CH 20V 3QFN

Serie : -

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 20V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 600mA (Ta)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 1.2V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 620 mOhm @ 600mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 950mV @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 0.7nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±8V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 21.3pF @ 10V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 360mW (Ta), 2.7W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : DFN1006B-3

Paquete / Caja : 3-XFDFN

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : PMZB , PMZB60

Documentos para PMZB600UNEYL

Hojas de datos : PMZB600UNEYL.pdf

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