SIZ998DT-T1-GE3 - MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR

Número de pieza del fabricante

SIZ998DT-T1-GE3

Número interno de parte

AX-SIZ998DT-T1-GE3

Fabricante

Vishay Siliconix

Breve descripción

MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

682335 Pieces

Precio de referencia

~~USD 0.41118~~

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Especificaciones para SIZ998DT-T1-GE3

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : SIZ998DT-T1-GE3

Fabricante : Vishay Siliconix

Descripción : MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR

Serie : TrenchFET®

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual), Schottky

Característica FET : Standard

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 30V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 20A (Tc), 60A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.7 mOhm @ 15A, 10V, 2.8 mOhm @ 19A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 8.1nC @ 4.5V, 19.8nC @ 4.5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 930pF @ 15V, 2620pF @ 15V

Potencia - max : 20.2W, 32.9W

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete / Caja : 8-PowerWDFN

Paquete del dispositivo del proveedor : 8-PowerPair®

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para SIZ998DT-T1-GE3

Hojas de datos : SIZ998DT-T1-GE3.pdf

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