TPS1101DR - MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
AX-TPS1101DR
Fabricante
Breve descripción
MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
481965 Pieces
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Especificaciones para TPS1101DR
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : TPS1101DR
Fabricante : Texas Instruments
Descripción : MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC
Serie : -
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 15V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 2.3A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 2.7V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 90 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 11.25nC @ 10V
Vgs (Max) : +2V, -15V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : -
Característica FET : -
Disipación de potencia (max) : 791mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor : 8-SOIC
Paquete / Caja : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Documentos para TPS1101DR
Hojas de datos : TPS1101DR.pdf
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