BSB056N10NN3GXUMA1 - MOSFET N-CH 100V 9A WDSON-2

Número de pieza del fabricante

BSB056N10NN3GXUMA1

Número interno de parte

AX-BSB056N10NN3GXUMA1

Fabricante

Infineon Technologies

Breve descripción

MOSFET N-CH 100V 9A WDSON-2

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

299510 Pieces

Precio de referencia

~~USD 0.936714~~

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Especificaciones para BSB056N10NN3GXUMA1

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : BSB056N10NN3GXUMA1

Fabricante : Infineon Technologies

Descripción : MOSFET N-CH 100V 9A WDSON-2

Serie : OptiMOS™

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 100V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 9A (Ta), 83A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.6 mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 100µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 74nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 5500pF @ 50V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 2.8W (Ta), 78W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : MG-WDSON-2, CanPAK M™

Paquete / Caja : 3-WDSON

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : BSB056 , BSB056N10

Documentos para BSB056N10NN3GXUMA1

Hojas de datos : BSB056N10NN3GXUMA1.pdf

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