GP2M002A065HG - MOSFET N-CH 650V 1.8A TO220

Número de pieza del fabricante

GP2M002A065HG

Número interno de parte

AX-GP2M002A065HG

Fabricante

Global Power Technologies Group

Breve descripción

MOSFET N-CH 650V 1.8A TO220

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

21000 Pieces

Precio de referencia

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Especificaciones para GP2M002A065HG

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : GP2M002A065HG

Fabricante : Global Power Technologies Group

Descripción : MOSFET N-CH 650V 1.8A TO220

Serie : -

Estado de la pieza : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 650V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 1.8A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.6 Ohm @ 900mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 8.5nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 353pF @ 25V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 52W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Through Hole

Paquete del dispositivo del proveedor : TO-220

Paquete / Caja : TO-220-3

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : GP2M , GP2M00

Documentos para GP2M002A065HG

Hojas de datos : GP2M002A065HG.pdf

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