ZXMN10B08E6TC - MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-6
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-6
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
69585 Pieces
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Especificaciones para ZXMN10B08E6TC
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza :
ZXMN10B08E6TC
Fabricante :
Diodes Incorporated
Descripción :
MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-6
Serie :
-
Estado de la pieza :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnología :
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) :
100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C :
1.6A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) :
4.3V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
230 mOhm @ 1.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs :
9.2nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds :
497pF @ 50V
Característica FET :
-
Disipación de potencia (max) :
1.1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje :
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor :
SOT-26
Paquete / Caja :
SOT-23-6
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Documentos para ZXMN10B08E6TC
Hojas de datos :
ZXMN10B08E6TC.pdf
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