AS4C16M16MSA-6BIN - IC DRAM 256M PARALLEL 54FBGA

Número de pieza del fabricante

AS4C16M16MSA-6BIN

Número interno de parte

AX-AS4C16M16MSA-6BIN

Fabricante

Alliance Memory, Inc.

Breve descripción

IC DRAM 256M PARALLEL 54FBGA

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

88870 Pieces

Precio de referencia

~~USD 3.51~~

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Especificaciones para AS4C16M16MSA-6BIN

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : AS4C16M16MSA-6BIN

Fabricante : Alliance Memory, Inc.

Descripción : IC DRAM 256M PARALLEL 54FBGA

Serie : -

Estado de la pieza : Active

Tipo de memoria : Volatile

Formato de memoria : DRAM

Tecnología : SDRAM - Mobile SDRAM

Tamaño de la memoria : 256Mb (16M x 16)

Frecuencia de reloj : 166MHz

Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página : -

Tiempo de acceso : 5.5ns

interfaz de memoria : Parallel

Suministro de voltaje : 1.7V ~ 1.95V

Temperatura de funcionamiento : -40°C ~ 85°C (TA)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete / Caja : 54-VFBGA

Paquete del dispositivo del proveedor : 54-FBGA (8x8)

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : AS4C1 , AS4C16M1

Documentos para AS4C16M16MSA-6BIN

Hojas de datos : AS4C16M16MSA-6BIN.pdf

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Número de pieza	Marca	Descripción
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BZ118078WV50036CB1	Vishay Beyschlag	CAP CER 50PF 30KV AXIAL.
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WI140266WJ10336BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 10000PF 14KV SCREW.
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