IRFHS9301TR2PBF - MOSFET P-CH 30V 6A PQFN

Número de pieza del fabricante

IRFHS9301TR2PBF

Número interno de parte

AX-IRFHS9301TR2PBF

Fabricante

Infineon Technologies

Breve descripción

MOSFET P-CH 30V 6A PQFN

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

11000 Pieces

Precio de referencia

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Especificaciones para IRFHS9301TR2PBF

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : IRFHS9301TR2PBF

Fabricante : Infineon Technologies

Descripción : MOSFET P-CH 30V 6A PQFN

Serie : HEXFET®

Estado de la pieza : Obsolete

Tipo FET : P-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 30V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 6A (Ta), 13A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 37 mOhm @ 7.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.4V @ 25µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 13nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 580pF @ 25V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 2.1W (Ta)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : 6-PQFN (2x2)

Paquete / Caja : 6-PowerVDFN

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : IRFHS , IRFHS93

Documentos para IRFHS9301TR2PBF

Hojas de datos : IRFHS9301TR2PBF.pdf

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