EDB4432BBBJ-1DAAT-F-R TR - IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Número de pieza del fabricante

EDB4432BBBJ-1DAAT-F-R TR

Número interno de parte

AX-EDB4432BBBJ-1DAAT-F-R TR

Fabricante

Micron Technology Inc.

Breve descripción

IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

46710 Pieces

Precio de referencia

~~USD 8.012658~~

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Especificaciones para EDB4432BBBJ-1DAAT-F-R TR

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : EDB4432BBBJ-1DAAT-F-R TR

Fabricante : Micron Technology Inc.

Descripción : IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Serie : -

Estado de la pieza : Active

Tipo de memoria : Volatile

Formato de memoria : DRAM

Tecnología : SDRAM - Mobile LPDDR2

Tamaño de la memoria : 4Gb (128M x 32)

Frecuencia de reloj : 533MHz

Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página : -

Tiempo de acceso : -

interfaz de memoria : Parallel

Suministro de voltaje : 1.14V ~ 1.95V

Temperatura de funcionamiento : -40°C ~ 105°C (TC)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete / Caja : 134-WFBGA

Paquete del dispositivo del proveedor : 134-FBGA (10x11.5)

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : EDB4432B , EDB4432BBBJ-

Documentos para EDB4432BBBJ-1DAAT-F-R TR

Hojas de datos : EDB4432BBBJ-1DAAT-F-R TR.pdf

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WI140266WJ10336BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 10000PF 14KV SCREW.
WF135242WP30238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 3000PF 20KV SCREW.
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